Research Project 2: 錯体格子上で磁気秩序と電子輸送を同時に操る
Rational Design of D/A–Frameworks カギは”電荷移動・電子移動”の制御です。電子移動はスピン発生と電子輸送(またはホール輸送)と直接関わりますし、低エネルギー電荷移動状態はバンド内電子移動を有利にしますし、且つ磁気的相互作用を強固なものにします。例えば、電子ドナー(D)と電子アクセプター(A)の単純な反磁性・中性DA系では、DからAへの一電子移動により、それぞれS = 1/2のスピンをもつイオン性D+A–が得られます。さらに、D2A系では、一電子移動により、D0とD+の混合原子価状態が得られることになります。これらのD/A系をそのまま多次元格子に展開できたら、電子移動・電荷移動により格子上を電子がホッピングし、且つスピンが多次元に秩序配列する状態を得ることが期待できます。このようなシステムは、まさに分子デバイスや分子スピントロニクス研究における最高のターゲットになります。
【Representative articles】
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- J. Am. Chem. Soc., 2010, 132, 1532-1544. DOI: 10.1021/ja909489s
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